半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。对在底板(1)上设有被称作半导体构成体(2)、在半导体构成体(2)周围的底板(1)上设有绝缘层(13)、在半导体构成体(2)和绝缘层(13)上设有上层布线的半导体器件，谋求薄型化。在预浸料坯材形成的底板(1)的上表面，固着半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面。这样，与在底板(1)的上表面间隔着由接合材料等形成的粘接层来粘接半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面的情况相比较，可以减薄与粘接层的厚度相当的量。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：底座部件(1)，由至少包括热固化性树脂的材料形成；至少一个半导体构成体(2)，被搭载在上述底座部件(1)上，而且具有半导体衬底(3)和设置在该半导体衬底(3)上的多个外部连接用电极(4、11)；绝缘层(13)，被设置在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上；以及至少一层的布线(17)，被设置在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上，与上述半导体构成体(2)的外部连接用电极(4、11)连接，而且具有连接焊盘部；上述半导体衬底(3)通过上述底座部件(1)的固着力被固着在上述底座部件(1)上；在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上形成有上层绝缘膜(14)，上述布线(17)包括形成在上述上层绝缘膜(14)上的部分；上述上层绝缘膜(14)包括热固化性树脂和加固材料。