| 发明名称 | 晶圆级堆叠多芯片的封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，包括下列步骤：提供一芯片阵列，其包含若干个独立的第一芯片，该第一芯片是由第一晶圆切割而成；提供第二晶圆，其包含若干个尚未分离的第二芯片，且第二芯片的主动表面上具有一黏着层；从该第二晶圆的芯片主动表面上将这些第二芯片预切至一深度；以该第二晶圆的芯片主动表面朝第一芯片的芯片背面堆叠，使每一个第二芯片仅与一个第一芯片堆叠；以及，从该第二晶圆的芯片背面进行薄化，以同时形成若干个单独分离的第二芯片堆叠在单独分离第一芯片上。 | ||
| 申请公布号 | CN100383939C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200510098802.1 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陶恕 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐秀萍 |
| 主权项 | 1.一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，包括下列步骤：提供一芯片阵列，其包含若干个独立的第一芯片，该第一芯片是由第一晶圆切割而成；提供第二晶圆，其包含若干个尚未分离的第二芯片，且其芯片主动表面上具有一黏着层；从该第二晶圆的芯片主动表面将这些第二芯片预切至一深度；以该第二晶圆的芯片主动表面朝这些第一芯片的芯片背面堆叠，使每一第二芯片仅与一个第一芯片堆叠；以及从该第二晶圆的芯片背面进行薄化，以同时形成若干个单独分离的第二芯片堆叠在单独分离的第一芯片上，其特征在于：在每一第二芯片与一个第一芯片堆叠后，至少要露出部分的该第二芯片的芯片主动表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||