| 发明名称 | 制造相变存储器的方法及形成相变层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造相变存储器的方法和形成该相变存储器中的相变层的方法。制造相变存储器的方法包括供应包括Ge的二价第一前体到其上将形成所述相变层的底层上。所述相变层利用MOCVD、循环CVD和ALD方法中的一种形成，并且所述相变层的成分通过沉积压力、沉积温度或反应气体的供应速率控制。所述沉积压力范围为0.001托－10托，所述沉积温度范围为150－350℃，并且所述反应气体的供应速率范围为0－1slm。 | ||
| 申请公布号 | CN101165934A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200710100842.4 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申雄澈;李在昊;姜允善 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造相变存储器的方法，所述相变存储器包括具有相变层的存储节点，其中所述方法包括供应包括Ge的二价第一前体到其上将形成所述相变层的底层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||