| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种可以低成本、高产量地制造高性能、高可靠性的半导体器件的技术。根据本发明的存储器件包括：含多个绝缘体的第一导电层；有机化合物层，该层位于上述含绝缘体的第一导电层之上；以及第二导电层，该层位于有机化合物层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101167189A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200680014616.8 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 汤川干央;大泽信晴;浅见良信;川俣郁子;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L51/05(2006.01) | 主分类号 | H01L27/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 1.一种具有存储元件的半导体器件，所述存储元件包括：含绝缘体的第一导电层；形成于所述第一导电层上的有机化合物层；以及形成于所述有机化合物层上的第二导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||