| 发明名称 | 用于HBT中的发射极镇流电阻器的结构和方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实例性实施例，异质结双极晶体管(200)包括发射极(216)。该异质结双极晶体管(200)进一步包括第一发射极覆盖层(218)，它包括第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)，其中第一高掺杂层(204)位于发射极(216)上，低掺杂层(206)位于第一高掺杂层(204)上，且第二高掺杂层(208)位于低掺杂层(206)上。第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)形成发射极镇流电阻器。根据该实例性实施例，低掺杂层具有一定厚度和掺杂物浓度水平，从而低掺杂层(206)的电阻基本与掺杂物浓度水平无关，而是对应于低掺杂层(206)的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN100383979C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN03812696.6 | 申请日期 | 2003.04.01 |
| 申请人 | 空间工程股份有限公司 | 发明人 | K·豪恩;R·S·伯顿;N·马迪尼;D·L·格林;C·F·克鲁姆 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括：发射极；第一发射极覆盖层，它包括第一高掺杂层、低掺杂层和第二高掺杂层，所述第一高掺杂层直接位于所述发射极上，所述低掺杂层位于所述第一高掺杂层上，所述第二高掺杂层位于所述低掺杂层上；所述低掺杂层具有一定的掺杂物浓度水平和厚度，其中选择所述厚度以便在所述低掺杂层中形成德拜尾效应，其中所述德拜尾效应使得所述发射极的镇流电阻基本与所述掺杂物浓度水平无关。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||