具有不同阻挡特性的栅极电介质的半导体器件

摘要

通过局部地调整N沟道晶体管及P沟道晶体管的栅极绝缘层205A，205B的阻挡能力，可增强P沟道晶体管的可靠性及阈稳定性(threshold stability)，而仍然可将N沟道晶体管的电子移动性(electron mobility)保持在高程度。可通过将不同量的介电掺杂剂加入至各别的栅极绝缘层部分205A，205B，而达到该目的。

主权项

1.一种方法，包括下列步骤：在第一半导体区202及第二半导体区203上形成栅极绝缘层205；以及选择性地调整该栅极绝缘层205的掺杂剂阻挡能力，使该栅极绝缘层205中对应于该第一半导体区202的第一部分205A的掺杂剂在阻挡能力上、与该栅极绝缘层205中对应于该第二半导体区203的第二部分205B不同。