| 发明名称 | 电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，包括如下步骤：在硅衬底上进行轻掺杂离子注入，分别形成源区和漏区；在所述硅衬底、源区和漏区上形成栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上涂覆光刻胶，然后进行光刻，形成位于漏区上方的隧道窗口；其中：通过所述隧道窗口对漏区进行低能量、高掺杂离子注入；去除光刻胶；在所述隧道窗口内形成隧道氧化物层。本发明在不增加器件面积的情况下，可提高器件的擦写速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101165861A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200610117250.9 | 申请日期 | 2006.10.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法，包括如下步骤：在硅衬底上进行轻掺杂离子注入，分别形成源区和漏区；在所述硅衬底、源区和漏区上形成栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上涂覆光刻胶，然后进行光刻，形成位于漏区上方的隧道窗口；其特征在于：通过所述隧道窗口对漏区进行低能量、高掺杂离子注入；去除光刻胶；在所述隧道窗口内形成隧道氧化物层。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||