一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺

摘要

本发明提供了一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺，包括稳定步骤1、贯穿刻蚀步、稳定步骤2、主刻蚀步、稳定步骤3、过刻蚀步和干法清洗步。各稳定步骤所使用的工艺气体可以是即将开始的工艺步骤所用的工艺气体，还可以是N₂或者其他任何一种惰性气体如He、Ar，采用本发明的多晶硅刻蚀工艺所得到的刻蚀剖面显微图显示，硬掩膜层和多晶硅层的交界处凹陷处和梯形结构完全消失，也没有微沟槽效应。

主权项

1.一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺，包括贯穿刻蚀步、主刻蚀步、过刻蚀步和干法清洗步，其特征在于，在所述贯穿刻蚀步前增加稳定步骤1，工艺条件为：腔室压力0-10mT，上下电极功率均为0w，所用气体同贯穿刻蚀步气体种类和流量一致，时间为5-10s；在所述主刻蚀步前增加稳定步骤2，工艺条件为：腔室压力0-15mT，上下电极功率均为0w，所用气体同主刻步气体种类和流量一致，时间为5-10s，在所述过刻蚀步前增加稳定步骤3，工艺条件为：腔室压力0-60mT，上下电极功率均为0w，所用气体同过刻蚀步气体种类和流量一致，时间为5-10s。