| 主权项 |
1.一种场发射显示器,系包含有: 一基板; 复数个画素单元,以阵列方式设置于该基板上,分 别包含有: 一萤光粉层,设置于该基板上; 一阴极,设置于该基板,相邻于该萤光粉层之一侧; 及 一阳极,设置于该基板,相邻于该萤光粉层之另一 侧,使由该阴极所激发之电子穿透该萤光粉层而至 该阳极; 一基板,设置于该些画素单元上方;及 一支撑架,夹设于该基板与该基板间,包围该些画 素单元,并使该基板与该基板间形成真空区域。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该基板系由绝缘材料所构成。 3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中 该绝缘材料系选自玻璃、陶瓷、塑胶与铁氟龙之 群组组合之一。 4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,更包 含一绝缘层,形成于该基板上,并位于该阴极与该 阳极之下。 5.如申请专利范围第4项所述之场发射显示器,其中 该基板系选自矽基板与金属基板之群组组合之一 。 6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,更包 含一导电层,形成于该基板上,并位于该阴极与该 阳极之下。 7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示器,其中 该导电层系往该萤光粉层之方向延伸。 8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,更包 含一金属反射层,形成于该基板上,并位于该萤光 粉层之下。 9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 每一个画素单元之该阴极系为同一个。 10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中每一个画素单元之该阳极系为同一个。 11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该电子之穿透该萤光粉层而至该阳极的方向系 概略平行于该基板表面。 12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该萤光粉层系选自红(R)、绿(G)、蓝(B)色之萤光 粉之群组组合之一。 13.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该阴极系由选自奈米碳材、导电氧化物、金属 结构、矽、氮化物与针尖阵列(spindle)之群组组合 之一所构成。 14.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器,其 中该奈米碳材系选自奈米碳管、奈米碳壁与类钻 石膜之群组组合之一。 15.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器,其 中该氧化物系氧化锌(ZnO)。 16.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器,其 中该金属结构系选自铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)与矽(Si) 之群组组合之一。 17.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器,其 中该氮化物系选自氮化镓(GaN)与氮化硼(BN)之群组 组合之一。 18.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该阳极系由选自奈米碳材、导电氧化物、金属 结构、氮化物与针尖阵列(spindle)之群组组合之一 所构成。 19.如申请专利范围第18项所述之场发射显示器,其 中该奈米碳材系选自奈米碳管、奈米碳壁与类钻 石膜之群组组合之一。 20.如申请专利范围第18项所述之场发射显示器,其 中该氧化物系氧化锌(ZnO)。 21.如申请专利范围第18项所述之场发射显示器,其 中该金属结构系选自铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)与矽(Si) 之群组组合之一。 22.如申请专利范围第18项所述之场发射显示器,其 中该氮化物系选自氮化镓(GaN)与氮化硼(BN)之群组 组合之一。 23.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该画素单元更包含一个以上之薄膜电晶体,以控 制该画素单元之发光。 24.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中系于阳极侧壁水平成长有一奈米碳材。 25.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中系于阴极侧壁水平成长有一奈米碳材。 图式简单说明: 第1图系传统的垂直式场发射显示器之示意图; 第2图系本发明之实施例之场发射显示器之示意图 ; 第3A图与第3B图系分别为本发明之实施例之利用系 于阴与阳极侧壁水平成长方式成长奈米碳材之侧 视与顶视示意图; 第4图系本发明之实施例之具有金属反射层之画素 单元之示意图; 第5图系本发明之实施例之具有导电层之画素单元 之示意图; 第6图系本发明之实施例之具有导电层与金属反射 层之画素单元之示意图; 第7图系本发明之实施例之具有导电层之画素单元 之示意图,且此导电层是位于基板与阴阳极之间, 并未设于萤光粉层; 第8图系本发明之实施例之具有导电层之画素单元 之示意图,此导电层乃往萤光粉层方向延伸; 第9图与第10图系本发明之实施例之利用阴阳极与 萤光粉层的阵列排列方式产生不同阵列组合之画 素单元之示意图; 第11图系本发明之实施例之采用被动矩阵的驱动 电路之画素单元之示意图;及 第12图系本发明之实施例之采用主动矩阵的驱动 电路之画素单元之示意图。 |
