| 主权项 |
1.一种有机薄膜电晶体,其包含 一对使电流流经由有机半导体材料制成之有机半 导体层的电极,和 第三个电极, 其中该有机半导体材料含有聚合物,该聚合物具有 下述一般结构式(I)所示之重复单元且该聚合物之 重量平均分子量(Mw)为20,000或超过20,000, 一般结构式(I) 其中R1、R2及R4各别为卤原子或选自烷基、烷氧基 或烷硫基之基团(所有该等基团可经取代),R3为卤 原子或选自烷基、烷氧基、烷硫基或芳基之基团( 所有该等基团可经取代),z为0至5之整数,x、y及w各 别为0至4之整数,且当二或多个各别R1、R2、R3及R4 出现时,该等R可为相同或不同。 2.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 聚合物之重量平均分子量为25,000或超过25,000。 3.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 一般结构式(I)中之R4为烷基或烷氧基。 4.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 有机半导体材料含有聚合物,该聚合物具有下述一 般结构式(II)所示之重复单元: 一般结构式(II) 其中R1、R2及R4各别为卤原子或选自烷基、烷氧基 或烷硫基之基团(所有该等基团可经取代),R3为卤 原子或选自烷基、烷氧基、烷硫基或芳基之基团( 所有该等基团可经取代),z为0至5之整敷,x、y及w各 别为0至4之整数,且当二或多个各别R1、R2、R3及R4 出现时,该等R可为相同或不同。 5.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 有机半导体材料含有聚合物,该聚合物具有下述一 般结构式(III)所示之重复单元: 一般结构式(III) 其中R1和R2各别为卤原子或选自烷基、烷氧基或烷 硫基之基团(所有该等基团可经取代),R3为卤原子 或选自烷基、烷氧基、烷硫基或芳基之基团(所有 该等基团可经取代),R5和R6为可经取代之直链或支 链烷基,z为0至5之整数,x和y各别为0至4之整数,且当 二或多个各别R1、R2及R3出现时,该等R可为相同或 不同。 6.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 有机半导体材料含有下述结构式所示之重复单元: 7.如申请专利范围第1项之有机薄膜电晶体,其中该 第三个电极系闸电极,且在该闸电极与该有机半导 体层之间存有绝缘层。 图式简单说明: 图1A系有机薄膜电晶体之一个实例的横剖面图。 图1B系有机薄膜电晶体之另一个实例的横剖面图 。 图1C系有机薄膜电晶体之再另一个实例的横剖面 图。 图1D系有机薄膜电晶体之再另一个实例的横剖面 图。 图2系本发明之有机薄膜电晶体的电晶体特性说明 图。 图3系本发明之有机半导体材料的分子量与场效移 动率之关系说明图。 图4系本发明之有机薄膜电晶体的薄膜电晶体特性 说明图(其中Vds=-20V)。 图5系自图4所示之薄膜电晶体特性找出临限电压 之说明图。 |
