| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有: 于半导体层形成背闸极扩散层,于前述半导体层上 形成闸极氧化膜及闸极电极的步骤;以及 在将杂质离子植入于前述背闸极扩散层后,使其扩 散以形成源极扩散层及汲极扩散层的步骤; 于形成前述汲极扩散层的步骤中,系以前述汲极扩 散层相对于前述半导体层表面倾斜,且前述倾斜的 切线与前述半导体层表面所形成之角度系随着接 近前述半导体层表面而变小的方式,形成前述汲极 扩散层。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中,于形成前述背闸极扩散层的步骤中,系在将 具有杂质浓度峰値的第1扩散层形成于前述半导体 层深部后,重叠形成具有较前述第1扩散层的杂质 浓度峰値更靠近前述半导体层表面侧的杂质浓度 峰値的第2扩散层。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中,于形成前述汲极扩散层的步骤中,系在形成 前述第2扩散层后,使用前述闸极电极作为遮罩,以 形成前述汲极扩散层。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中,于形成前述闸极氧化膜的步骤中,系将其膜 厚形成为50至340。 图式简单说明: 第1图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第2图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第3图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第4图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第5图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第6图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第7图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第8图系说明本发明实施形态的半导体装置之制造 方法的剖视图。 第9图(A)系用来说明本发明实施形态的半导体装置 的汲极区域及其附近区域的剖视图,第9图(B)系用 来说明习知实施形态的半导体装置的汲极区域及 其附近区域的剖视图。 第10图(A)系用来说明本发明及习知实施形态的半 导体装置的背闸极区域的浓度分布曲线图形的曲 线图,第10图(B)系用来说明汲极区域的浓度分布曲 线图形的曲线图表。 第11图系用来说明本发明及习知实施形态的半导 体装置的第9图(A)及(B)所示A-A剖面及B-B剖面的背闸 极区域的曲线图。 第12图(A)系用来说明本发明实施形态的半导体装 置的汲极-源极间的电流値与耐压特性的关系的曲 线图,第12图(B)系用来说明习知实施形态的半导体 装置的汲极-源极间的电流値与耐压特性的关系的 曲线图。 第13图系用来说明本发明及习知实施形态的电流 能力的曲线图。 |
