| 主权项 |
1.一种具有低温多晶矽薄膜之太阳能电池元件结 构,其至少包含: 一基板; 一P型半导体层,系形成于该基板上方,其系用于产 生电洞; 一本质(i)型半导体层,系形成于该P型半导体层上 方,其系用于提高可见光谱光子的吸收范围; 一N型半导体层,系形成于该本质(i)型半导体层上 方,其系用于产生电子; 一第一电极,系形成于该N型半导体层上方,其系用 于取出电能;以及 一第二电极,藉由蚀刻该太阳能电池元件之一侧至 该P型半导体层,并于其上方形成,其系用于取出电 能; 其中,该本质(i)型半导体层系由结合金属铝与二阶 段退火方式所形成。 2.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该基板系选自玻璃 、塑胶基板、半导性基板、绝缘基板、可挠性基 板或不锈钢板之一。 3.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该P型半导体层之 掺杂方式系选自于铝诱导结晶矽、固相结晶化或 准分子雷射退火制程之一。 4.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中所谓之结合金属铝 与二阶段退火之制程步骤包含: 沉积一厚度金属铝在该基板上; 沉积一具有一第一厚度之非晶矽薄膜在该含金属 铝之基板上; 以一第一温度加热该基板,使得该非晶矽薄膜形成 一具有第一厚度之多晶矽薄膜; 蚀刻该些金属铝; 沉积一具有一第二厚度之非晶矽薄膜于该具有第 一厚度之多晶矽薄膜上; 以一第二温度加热该基板,以形成一具有第二厚度 之多晶矽薄膜。 5.如申请专利范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中沉积该金属铝之制 程系选自溅镀、热蒸镀与离子蒸镀之一。 6.如申请专利范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该具有第一厚度之 非晶矽薄膜系选自电浆辅助化学气相沈积系统、 离子蒸镀系统、低压化学气相沉积系统之一。 7.如申请专利范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第一温度系介于 450-600℃。 8.如专利申请范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该具有第一厚度之 非晶矽薄膜之该第一厚度介于20-500nm。 9.如专利申请范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第二温度系介于 200-500℃。 10.如专利申请范围第4项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该具有第二厚度之 非晶矽薄膜之该第二厚度介于1-5m。 11.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该N层半导体之掺 杂方式系选自于热扩散法或离子布植法制程之一 。 12.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第一电极系选自 于蒸镀法、电镀法及印刷法等制程之一。 13.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第一电极之材料 系选自于镍、金、银、钛、钯、及铝等导电材料 之一。 14.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第二电极系选自 于蒸镀法、电镀法及印刷法等制程之一。 15.如申请专利范围第1项之一种具有低温多晶矽薄 膜之太阳能电池元件结构,其中该第一电极之材料 系选自于镍、金、银、钛、钯、及铝等导电材料 之一。 图式简单说明: 第1图显示本创作之一种具有金属诱发之太阳能电 池元件结构之侧视剖面图; 第2图为本创作之金属铝诱发多晶矽之步骤流程图 ; 第3a图显示为第2图中步骤200,金属铝溅镀于基板上 之示意图; 第3b图显示为第2图中步骤201,非晶矽薄膜沉积于金 属铝表面之示意图; 第3c图显示为第2图中步骤202,形成多晶矽薄膜于基 板101上之示意图; 第3d图显示为第2图中步骤204,蚀刻铝203于多晶矽表 面之后,于多晶矽104表面沉积一层非晶矽薄膜105上 方之示意图; 第3e图显示为第2图中步骤205,形成多晶矽薄膜106于 基板104上之示意图; 第3f图显示为第2图中步骤206,掺杂磷原子于多晶矽 薄膜106内之一定深度之示意图; 第4图显示为第2图中步骤207完成之后,金属铝诱发 多晶矽薄膜之拉曼图;以及 第5图显示为第2图中步骤207完成之后,金属铝诱发 多晶矽薄膜之XRD图。 |
