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发明名称
Process for the fabrication of dual gate structures for CMOS devices
摘要
申请公布号
KR100821494(B1)
申请公布日期
2008.04.11
申请号
KR20000009286
申请日期
2000.02.25
申请人
发明人
分类号
H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/092
主分类号
H01L27/092
代理机构
代理人
主权项
地址
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