发明名称 |
一种Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器的湿法氧化制备方法 |
摘要 |
本发明属微电子技术领域,具体是一种Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中,作为存储介质的Cu<SUB>x</SUB>O用湿法氧化方法制备,具体步骤为用一定浓度(10%到50%)的双氧水溶液,在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面,从而得到存储介质Cu<SUB>x</SUB>O。本发明方法工艺简单,成本低,无污染,形成的存储介质均匀,且不会引入新的杂质,同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。 |
申请公布号 |
CN101159310A |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN200710047974.5 |
申请日期 |
2007.11.08 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
林殷茵;傅秀峰;陈邦明;吕杭炳;唐立;尹明 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
1.一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法,其特征在于该存储器中,作为存储介质的CuxO采用湿法氧化方法制备,具体步骤为:用浓度为10%到50%的双氧水溶液,在40℃度到80℃下,接触暴露出的Cu表面,从而得到存储介质CuxO。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |