| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体集成电路，含有一种结构，其中，电路中包含的晶体管的源极、漏极和栅极位于小宽度区域内，该区域的宽度由以下确定：各组路径中路径数最小的一组路径中的路径数目，所述各组路径的形成方式为对于电路中包括的任何一个晶体管都只通过通路一次且一组中的路径的组合能够覆盖电路的整个电路网络；每个晶体管的源极和漏极的宽度；源极和漏极之间区域的宽度；未结合成公共电极的一些相邻晶体管对的源极和漏极之间区域的宽度；以及电路中包含的晶体管的数目。 | ||
| 申请公布号 | CN101159265A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710181211.X | 申请日期 | 2003.09.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 野中义弘 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/528(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，含有一种结构，其中，电路中包含的晶体管的源极、漏极和栅极位于小宽度区域内，该区域的宽度由以下确定：各组路径中路径数最小的一组路径中的路径数目，所述各组路径的形成方式为对于电路中包括的任何一个晶体管都只通过通路一次且一组中的路径的组合能够覆盖电路的整个电路网络；每个晶体管的源极和漏极的宽度；源极和漏极之间区域的宽度；未结合成公共电极的一些相邻晶体管对的源极和漏极之间区域的宽度；以及电路中包含的晶体管的数目。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||