含有具有乙烯二羰基结构的聚合物的形成光刻用防反射膜的组合物

摘要

本发明的目的是提供一种防反射膜、以及用于形成该防反射膜的组合物，所述防反射膜在半导体器件制造的光刻工艺中使用、显示优异的防反射效果、与光致抗蚀剂不发生混合、与光致抗蚀剂相比具有大的蚀刻速度。其解决方案是提供含有具有乙烯二羰基结构的聚合物和溶剂的形成光刻用防反射膜的组合物，由该组合物形成的防反射膜、和使用了该组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。

主权项

1.一种形成光刻用防反射膜的组合物，含有聚合物和溶剂，所述聚合物具有式(1)或者式(2)所示的重复单元结构，式中，R1和R2分别表示氢原子、甲基、乙基或者卤素原子，A1、A2、A3、A4、A5、和A6分别表示氢原子、甲基或者乙基，Q表示式(3)或者式(4)所示结构，式中，Q1表示碳原子数为1～15的亚烷基、亚苯基、亚萘基、或者亚蒽基，上述亚苯基、亚萘基、和亚蒽基也可以分别被选自碳原子数为1～6的烷基、卤素原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、和碳原子数为1～6的烷硫基中的基团取代，n1和n1分别表示0或者1，X1表示式(5)、(6)或者式(7)所示结构，式中，R3和R4分别表示氢原子、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为3～6的链烯基、苄基或者苯基，上述苯基也可以被选自碳原子数为1～6的烷基、卤素原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、和碳原子数为1～6的烷硫基中的基团取代，另外，R3与R4也可以相互结合、形成碳原子数为3～6的环，R5表示碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为3～6的链烯基、苄基或者苯基，上述苯基也可以被选自碳原子数为1～6的烷基、卤素原子、碳原子数为1～6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、和碳原子数为1～6的烷硫基中的基团取代。