| 发明名称 | 将相异移除速度应用到衬底表面的方法与装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体处理系统。该系统包括：传感器，检测代表沉积于衬底表面上的薄膜厚度的信号。第一喷嘴，供应第一流体至抛光垫的表面。流体限制装置，位于该第一喷嘴上游。该流体限制装置均匀地分布该浆料于该抛光垫的该表面上。第二喷嘴，位于该流体限制装置上游。该第二喷嘴供应第二流体至该均匀分布的浆料上。本发明还提供一种CMP系统及将相异移除速度应用至衬底表面的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100380597C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN03815381.5 | 申请日期 | 2003.06.23 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | Y·戈特基斯;R·基斯特勒;A·奥查兹;D·亨克;N·J·布赖特 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;梁永 |
| 主权项 | 1.一种对施加到衬底表面的移除速度提供不同控制的方法，包括：在处理操作前，产生衬底的厚度曲线图；将厚度曲线图的坐标与在处理操作中使用的传感器相关联；以及根据厚度曲线图所提供的数据调整与传感器相关联的衬底表面位置处的移除速度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||