发明名称 一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料的方法
摘要 一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料的方法,属金属基复合材料领域。工艺为:首先一定粒度分布的SiC粉末混合均匀与多聚物组元石蜡基粘结剂以57~68体积%装载量在双辊挤压机上进行混炼,得到均匀的喂料;随后在粉末注射成形机上以150~175℃的注射温度、75~125MPa的注射压力注射成形,得到所需形状的坯体,经过“溶脱+热脱”脱脂后于600~1120℃预烧结得到多孔SiC预成形坯。接着在1400℃~1450℃于真空气氛下采用无压浸渗将铜合金渗入多孔SiC预成形坯。从而获得高体积分数的SiC<SUB>p</SUB>/Cu复合材料。本发明能够制备形状复杂的薄壁SiC<SUB>p</SUB>/Cu复合材料零部件,增强相的含量高达57~67体积%,复合材料的致密度高,显微组织中增强相分布均匀,而且还具有材料利用率高、生产效率高,成本低的优点。
申请公布号 CN101157993A 申请公布日期 2008.04.09
申请号 CN200710177026.3 申请日期 2007.11.08
申请人 北京科技大学 发明人 曲选辉;章林;何新波;段柏华;秦明礼
分类号 C22C1/00(2006.01);B22D23/04(2006.01);C22C9/01(2006.01) 主分类号 C22C1/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料的方法,采用注射成形-无压浸渗工艺,其特征在于:a、喂料制备:单一颗粒的喂料采用18μm、24μm、40μm、63μm、100μm的单一粒径粉末;双颗粒粒径的喂料是将60~130μm的SiC粗颗粒和6~18μm的SiC细颗粒按3∶1的比例进行混合;首先将SiC粉末与粘结剂在双行星混炼机中于150~165℃、转速30~45rpm的条件下混炼30~60min制成均匀喂料;粘结剂成分重量百分比为:50~70%石蜡、10~20%高密度聚乙烯、10~20%聚丙烯和5~10%硬脂酸;喂料中的SiC粉末占喂料体积的57~68%;b、注射成形:在注射温度为150~175℃,注射压力为70MPa~125MPa条件下注射成形,得到复杂形状的SiC预成形坯;c、预成形坯脱脂:注射坯体采用“溶脱+热脱”两步脱脂工艺进行脱除粘结剂;先在三氯乙烯或三氯乙烷有机溶剂中于45~60℃下浸泡3~6h进行溶剂脱脂;干燥后,再在真空气氛或空气中于600~1120℃进行热脱脂及预烧结时间为8~10h,得到多孔SiC骨架;d、无压浸渗:将浸渗用铜合金置于多孔SiC坯体上在真空炉中进行无压浸渗,铜合金的重量百分比为:3~8%Al、1~3%Fe、1~2%Mn、2~4%Ni,余量Cu;浸渗温度为1400~1450℃,保温40~90min,从而得到致密的,组织均匀的SiCp/Cu复合材料。
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