| 发明名称 | 用于相变介质存储装置的低热耗小接触面积复合电极 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于相变介质存储装置(10)的低热耗小接触面积电极结构和制造方法。存储装置包括复合电极(12)，其包括介电芯棒(13)，介电芯棒与基底(11)连接并具有在顶点(V)终止的锥形形状。导电材料(15)均匀地覆盖介电芯棒并终止于尖端(T)。所述导电材料(15)与尖端(T)相邻的一小部分从第一介电层(17)露出从而形成导电材料的露出部分(E)，第一介电层(17)覆盖导电材料的除了露出部分(E)之外的所有复合电极。相变介质(19)与露出部分(E)接触。露出部分只是复合电极的整个表面面积的一小部分，使得露出部分和相变介质(19)之间的接触印迹(A<SUB>C</SUB>)相对于相变介质的表面面积(A<SUB>M</SUB>)是很小，从而减小了从相变介质传递到复合电极的焦耳热(j<SUB>h</SUB>)。 | ||
| 申请公布号 | CN100380700C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN03110202.6 | 申请日期 | 2003.04.04 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | H·李;D·M·拉扎洛夫 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L23/52(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种用于相变介质存储装置(10)的低热耗小接触面积电极结构，包括：基底(11)；复合电极(12)，其包括介电芯棒(13)和导电材料(15)，介电芯棒(13)与基底(11)连接，并且介电芯棒(13)具有在顶点(V)终止的锥形形状，导电材料(15)均匀地覆盖介电芯棒(13)并在尖端(T)终止；第一介电层(17)，所述导电材料(15)与尖端(T)相邻的一小部分从第一介电层(17)露出从而形成导电材料的露出部分(E)，所述第一介电层(17)覆盖导电材料的除了所述露出部分(E)的所有部分；相变介质(19)，其与第一介电层(17)和露出部分(E)连接；第二介电层(21)，其与第一介电层(17)和相变介质(19)连接；和电极(23)，其与相变介质(19)接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||