发明名称 | 改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法,其是将玻璃衬底放在真空室内;采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜;采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜,根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境,对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿,达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制,并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>~10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>量级范围内。这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善,既不增加新的设备改造投资,又避免了交叉污染的难点,同时还有效提高电池效率。 | ||
申请公布号 | CN101159296A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
申请号 | CN200710150230.6 | 申请日期 | 2007.11.19 |
申请人 | 南开大学 | 发明人 | 张晓丹;赵颖;熊绍珍;耿新华 |
分类号 | H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 廖晓荣 |
主权项 | 1.一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A、将衬底放在真空腔室内;B、在衬底上沉积P层微晶硅薄膜;C、采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜,根据P层微晶硅薄膜沉积后的腔室环境,对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿,控制该I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在1016cm-3~1017cm-3量级范围内。 | ||
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