| 发明名称 | 混合取向基板上用于嵌入的沟槽存储器的结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了包括在混合取向技术(HOT)基板上针对嵌入的沟槽存储(例如，沟槽电容器)的自对准带的结构和相关的方法。一种结构包括：混合取向基板，该混合取向基板包括绝缘体上半导体(SOI)区和体半导体区；在SOI区上方的晶体管；在体半导体区中的沟槽电容器；和自对准带，由晶体管的源极/漏极区域延伸到沟槽电容器的电极。该方法不需要附加的掩模以产生该带，结果得到自对准带且提高了器件性能。在一个实施例中，该带为硅化物带。 | ||
| 申请公布号 | CN101159272A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200710152890.8 | 申请日期 | 2007.09.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;拉马钱德拉·迪瓦卡鲁尼;卡尔·J·雷登斯 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 许向华;张波 |
| 主权项 | 1.一种结构，包括：混合取向基板，包括绝缘体上半导体区和体半导体区；晶体管，在该绝缘体上半导体区上方；沟槽电容器，在该体半导体区中；和自对准带，由该晶体管的源极/漏极区域延伸到该沟槽电容器的电极。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||