| 发明名称 | 低介电常数无定形二氧化硅类被膜的形成方法及由该方法得到的低介电常数无定形二氧化硅类被膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。 | ||
| 申请公布号 | CN100380608C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200380102612.1 | 申请日期 | 2003.10.27 |
| 申请人 | 触媒化成工业株式会社;富士通株式会社 | 发明人 | 中岛昭;江上美纪;小松通郎;中田义弘;矢野映;铃木克己 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);C09D183/02(2006.01);C09D183/04(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数无定形二氧化硅类被膜的形成方法，该方法用于在基板上形成具有较高膜强度、疏水性优良、平滑的低介电常数无定形二氧化硅类被膜，其特征为，该方法包括以下步骤：(a)使原硅酸四烷基酯TAOS及由下述通式(I)表示的烷氧基硅烷AS在由碱金属元素的化合物构成的杂质的含量以各元素基准计为50重量ppb以下、由卤族元素的化合物构成的杂质的含量以各元素基准计为1重量ppm以下的氢氧化四烷基铵TAAOH的存在下水解得到硅化合物，配制含有由此所得的硅化合物和所述氢氧化四烷基铵TAAOH的液态组合物的步骤；XnSi(OR)4-n (I)式中，X表示氢原子、氟原子、或碳原子数为1～8的烷基、氟取代烷基、芳基或乙烯基，R表示氢原子、或碳原子数为1～8的烷基、芳基或乙烯基，另外，n为1～3的整数；(b)在基板上涂布该液态组合物的步骤；(c)在80～350℃的温度下对该基板实施加热处理的步骤；(d)在350～450℃的温度下对该基板实施烧制处理的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||