| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种可以缩短开启时间的半导体装置，该半导体装置具备：外延层；埋设在外延层的表面区域的两个基部区域；分别埋设在这些基部区域的源极区域；漏极区域，其至少包含除外延层中的基部区域外的区域；和栅极电极，其隔着绝缘膜设置在外延层上，端部与两个基部区域的表面对置。漏极区域，在截止状态下，按照在从两个基部区域之间的边界开始扩展的耗尽层位于两个基部区域间的部分互相连接的方式形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101160665A | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN200680012090.X | 申请日期 | 2006.04.11 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 高石昌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具备：外延层；埋设在所述外延层的表面区域的两个基部区域；分别埋设在两个所述基部区域的源极区域；漏极区域，其至少包含除所述外延层中的两个所述基部区域之外的区域；栅极电极，其隔着绝缘膜设置在所述外延层上，端部与两个所述基部区域的表面对置，所述漏极区域，在截止状态下，按照自两个所述基部区域之间的边界开始扩展的耗尽层位于两个所述基部区域间的部分互相连接的方式形成。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||