发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 使用反射性涂层在低温塑料基片上制造硅薄膜晶体管(TFT),以便廉价的塑料基片可取代标准玻璃,石英和硅晶片基的基片。该TFT可被用于大面积,低成本电子设备,比如平板显示器和便携电子设备,比如摄像机,个人数字助理和移动电话。 | ||
申请公布号 | CN100380680C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
申请号 | CN01818220.8 | 申请日期 | 2001.11.01 |
申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | J·D·沃尔夫;S·D·泰斯;P·G·凯里;P·M·史密斯;P·威克博尔特 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沙捷;程伟 |
主权项 | 1.一种半导体器件,其包括:一用脉冲辐射退火制造的层,一可能被所述的脉冲辐射损伤的层,可操作地连接到所述用脉冲辐射退火制造的层,以及一反射层,其可操作地连接到所述可能被所述脉冲辐射损伤的所述层,以反射所述的脉冲辐射。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |