发明名称 Attenuators with progressive biased field-effect transistors
摘要 An electrical circuit having improved linearity includes a resistive circuit having a plurality of field effect transistors (FETs) and one or more gate biasing circuits.
申请公布号 US2008079477(A1) 申请公布日期 2008.04.03
申请号 US20060541476 申请日期 2006.09.29
申请人 VICE MICHAEL WENDELL 发明人 VICE MICHAEL WENDELL
分类号 H03K17/687 主分类号 H03K17/687
代理机构 代理人
主权项
地址