| 发明名称 | 介质层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种介质层的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属层；对所述半导体基底表面进行氨气等离子体表面预处理；在所述半导体基底表面沉积介质层。本发明介质层形成的方法不会引起下层金属表面电迁移过大的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101154584A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116849.0 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 汪钉崇;蓝受龙;杨小明 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种介质层的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属层；对所述半导体基底表面进行氨气等离子体表面预处理；在所述半导体基底表面沉积介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||