发明名称 透明MgO薄膜制备方法及所得产品
摘要 本发明公开了一种采用电弧离子镀法制备透明MgO薄膜的方法,该方法包括:将衬底置于真空室内,真空室与低压大电流直流电源的正极相连,以纯镁作阴极靶,阴极靶与低压大电流直流电源的负极相连;向真空室通入Ar气,利用高偏压下Ar气辉光放电产生的等离子体对衬底表面进行轰击清洗;轰击清洗完成后,向真空室通入反应气体O<SUB>2</SUB>与保护气体Ar,使真空室内的工作压强为0.2~4Pa;以及向衬底施加负偏压并引燃电弧进行镀膜。
申请公布号 CN101153379A 申请公布日期 2008.04.02
申请号 CN200610122517.3 申请日期 2006.09.29
申请人 中山大学 发明人 何振辉;闻立时;陈弟虎;朱道云;郑昌喜;王明东
分类号 C23C14/00(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/22(2006.01);C23C14/54(2006.01) 主分类号 C23C14/00(2006.01)
代理机构 广州三环专利代理有限公司 代理人 戴建波;杨献智
主权项 1.一种采用电弧离子镀法制备透明MgO薄膜的方法,该方法包括:以纯镁作阴极靶;将衬底置于真空室内;向所述真空室通入Ar气,并利用高偏压下Ar气的辉光放电对所述衬底表面进行轰击清洗;所述轰击清洗完成后,向所述真空室通入反应气体O2与保护气体Ar,使真空室内的工作压强为0.2~4Pa;向所述衬底施加0~1000V的负偏压;以及引燃电弧开始镀膜。
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