发明名称 |
透明MgO薄膜制备方法及所得产品 |
摘要 |
本发明公开了一种采用电弧离子镀法制备透明MgO薄膜的方法,该方法包括:将衬底置于真空室内,真空室与低压大电流直流电源的正极相连,以纯镁作阴极靶,阴极靶与低压大电流直流电源的负极相连;向真空室通入Ar气,利用高偏压下Ar气辉光放电产生的等离子体对衬底表面进行轰击清洗;轰击清洗完成后,向真空室通入反应气体O<SUB>2</SUB>与保护气体Ar,使真空室内的工作压强为0.2~4Pa;以及向衬底施加负偏压并引燃电弧进行镀膜。 |
申请公布号 |
CN101153379A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200610122517.3 |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
何振辉;闻立时;陈弟虎;朱道云;郑昌喜;王明东 |
分类号 |
C23C14/00(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/22(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/00(2006.01) |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 |
代理人 |
戴建波;杨献智 |
主权项 |
1.一种采用电弧离子镀法制备透明MgO薄膜的方法,该方法包括:以纯镁作阴极靶;将衬底置于真空室内;向所述真空室通入Ar气,并利用高偏压下Ar气的辉光放电对所述衬底表面进行轰击清洗;所述轰击清洗完成后,向所述真空室通入反应气体O2与保护气体Ar,使真空室内的工作压强为0.2~4Pa;向所述衬底施加0~1000V的负偏压;以及引燃电弧开始镀膜。 |
地址 |
510275广东省广州市新港西路135号 |