液晶显示器的制造方法

摘要

一种液晶显示器的制造方法，其先在玻璃基底上依序形成导电层、金属层与重掺杂层。然后使用第一掩模形成周边CMOS电路区、晶体管区、反射区、穿透区、及电容区。接着，形成多晶硅薄膜层与绝缘层，并以第二掩模形成源极/漏极区，通道区，以及栅极绝缘层。然后，再形成树脂层配合使用第三掩模而得以使前述树脂层在反射区内具有凹凸状连续表面。接着在整个结构表面全面性沉积一金属层，并以第四掩模形成栅极结构与反射电极。并以第五掩模形成光阻层，进行离子注入，以形成PMOS晶体管源极/漏极结构。随后，形成保护层，并以第六掩模形成穿透区，同时进行金属层与重掺杂层的剥离以暴露出导电层。

主权项

1.一种液晶显示器的制造方法，该方法至少包含下列步骤：提供基底；在该基底之上形成导电层；在该导电层之上形成第一金属层；在该第一金属层之上形成重掺杂硅层；图案化该重掺杂硅层、该第一金属层与该导电层，以形成周边电路区、晶体管区、反射区、穿透区以及电容区；在该基底与该重掺杂硅层之上形成半导体层；在该半导体层之上形成绝缘层；图案化该绝缘层、该半导体层以及该重掺杂硅层，以形成源极/漏极区以及通道区，并暴露出部分该第一金属层；在该基底、该第一金属层及该绝缘层之上形成树脂层；图案化该树脂层，以使该树脂层在该反射区具有连续不平坦表面；执行热处理工艺，以使该连续不平坦表面得以融熔形成较圆滑表面；在该树脂层、该基底、该第一金属层与该绝缘层之上形成第二金属层；图案化该第二金属层，以形成栅极结构、反射电极以及电容电极；在该栅极结构、该反射电极、该基底、该第一金属层、该电容电极与该绝缘层之上形成图案化光阻层；以该图案化光阻层为掩模，对位于该周边电路区的该源极/漏极区进行离子注入步骤，使得该晶体管源极/漏极区污染为不同掺杂区；移除该图案化光阻层；在该栅极结构、该反射电极、该基底、该第一金属层、该电容电极与该绝缘层之上形成保护层；图案化该保护层，以暴露出该穿透区；以及蚀刻去除部分该第一金属层，以暴露出该导电层。