发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明的目的在于通过减小放大电路中的寄生电阻抑制设在半导体器件中的光电转换元件的光灵敏度降低,使放大光电转换元件的输出电流的放大电路稳定地工作。本发明涉及一种半导体器件,包括:光电转换元件;具有至少两个薄膜晶体管的电流镜电路;与上所述薄膜晶体管分别电连接的高电位电源;与上所述薄膜晶体管分别电连接的低电位电源。当参考一侧的薄膜晶体管为n型薄膜晶体管时,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在接近所述低电位电源的位置。当参考一侧的薄膜晶体管为p型薄膜晶体管时,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在接近所述高电位电源的位置。 |
申请公布号 |
CN101154672A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200710161368.6 |
申请日期 |
2007.09.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
广濑笃志 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01);H01L23/522(2006.01);G01J1/42(2006.01);G01J1/44(2006.01);G09G3/34(2006.01);G09G3/36(2006.01);G09G5/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:光电转换元件;具有参考一侧的薄膜晶体管及输出一侧的薄膜晶体管且放大所述光电转换元件的输出的电流镜电路;以及具有高电位电极和低电位电极的电源,其中所述参考一侧的薄膜晶体管及所述输出一侧的薄膜晶体管都是n型薄膜晶体管,所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述高电位电极,所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到所述高电位电极,所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极,所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在比所述输出一侧的薄膜晶体管接近所述低电位电极的位置。 |
地址 |
日本神奈川 |