| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种包含n型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有n型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的TiW合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101156253A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200680011218.0 | 申请日期 | 2006.04.04 |
| 申请人 | 三菱电线工业株式会社 | 发明人 | 高野刚志;城市隆秀;冈川广明 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包括n型氮化镓基化合物半导体的半导体元件，以及与所述半导体欧姆接触的电极，其中所述电极具有与所述半导体接触的TiW合金层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||