发明名称 |
衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺 |
摘要 |
本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法,该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如,约<100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地,蚀刻剂为氯气,并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中,提供了一种快蚀刻工艺(例如,约>100/min),该工艺包括去除硅材料,同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中,提供了一种清洁处理室的方法,该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。 |
申请公布号 |
CN101155648A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200680010817.0 |
申请日期 |
2006.01.27 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
阿卡第·V·萨沐罗夫;阿里·佐扎伊 |
分类号 |
B08B6/00(2006.01);C25F1/00(2006.01);C25F3/30(2006.01) |
主分类号 |
B08B6/00(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
1.一种用于在衬底表面上形成含硅材料的方法,包括:将包含具有污染物的硅材料的衬底定位在处理室中;在蚀刻工艺中,将所述衬底暴露于包含氯气、硅源和载气的蚀刻气体;和去除所述污染物和预定厚度的所述硅材料,其中,所述硅材料以约2/min或更小的速率被去除。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |