| 主权项 |
1.一种蚀刻处理方法,其特征为: 利用具备:以真空排气手段排成真空之真空容器; 用于对上述真空容器导入蚀刻气体之蚀刻气体导 入手段;固定于将装设之被加工试样予以设置之被 加工试样设置手段;对被加工试样背面供应冷却气 体之冷却气体导入手段;对上述真空容器内供应之 高频电磁波之高频电源;匹配器;对上述真空容器 内导入高频电力之电力导入手段;以及用于对被加 工试样施加高频偏压电压之高频偏压电源之蚀刻 装置,利用上述电力导入手段所导入之高频电力将 以上述蚀刻气体导入手段导入于上述真空容器内 之气体施予电浆化,藉由对被加工试样施加高频偏 压电力,利用上述电浆进行上述被加工试样之表面 处理,其特征为: 利用高沉积性之气体处理上述被加工试样时,将开 始处理时之被加工试样之温度保持于所要之温度 。 2.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,继 续步骤间之放电以执行蚀刻处理。 3.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,以 多个处理条件依次蚀刻处理被加工试样时,一边继 续电浆产生用放电,一边继续对试样施加高频偏压 电力并分别过渡至后续之处理条件。 4.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,以 多个处理条件依次蚀刻处理被加工试样时,在一边 继续电浆产生用放电,一边继续对试样施加高频偏 压电力并分别过渡至后续之处理条件时,高频电源 之匹配器过渡至事先求出之高频电力之投入电力 与反射电力成为特定比之整合位置。 5.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,藉 由控制试样温度以抑制沉积物之发生与附着。 6.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,以 多个处理条件依次蚀刻处理被加工试样时,继续处 理步骤间之电浆产生用放电,并在多个处理步骤中 ,使后续步骤初期之晶圆温度不致低于前面步骤之 处理中之温度。 7.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,为 了达到企望之被处理试样温度,控制被加工试样与 设置被加工试样之电极间所封入之冷却气体之压 力或流量以及其时间。 8.如申请专利范围第1项之蚀刻处理方法,其中,在 将上述被加工试样搬入真空容器内之后进行特定 处理之前,进行上述被加工试样之预热。 图式简单说明: 图1系用于说明适用于本发之蚀刻处理方法之UHF波 电浆蚀刻处理装置之概略构造剖面图。 图2(a)系用于说明电浆产生用放电继续处理的效果 之图(先前之方法)。 图2(b)系用于说明电浆产生用放电继续处理的效果 之图(实施例1之方法)。 图3系用于说明使用Low-K材料之双道金属镶嵌法构 造中之通孔图案(Via Pattern)产生过程之概略剖面图 。 图4(a)系用于说明使用Low-K材料之双道金属镶嵌法 构造中通孔图案处理中利用放电继续处理之形状 改善效果之图(先前之方法)。 图4(b)系用于说明使用Low-K材料之双道金属镶嵌法 构造中通孔图案处理中利用放电继续处理之形状 改善效果之图(实施例2之方法)。 图5(a)说明由冷却气体调整所引起之晶圆温度之变 化的图(先前之方法)。 图5(b)说明由冷却气体调整所引起之晶圆温度变化 之图(实施例3之方法)。 图5(c)说明由冷却气体调整所引1起之晶圆温度之 变化的图(并用实施例2与实施例3之方法)。 图6(a)说明由晶圆之预热所引起之效果的图(先前 之方法)。 图6(b)说明由晶圆之预热所引起之效果的图(实施 例4的方法)。 图7(a)为说明并用晶圆之预热与冷却气体调整之效 果之图(先前之方法)。 图7(b)为说明并用晶圆之预热与冷却气体调整之效 果之图(实施例5之方法)。 |
