发明名称 离子束装置及离子布植之方法
摘要 本发明提供一种多用途离子布植器束流线组态,其经构造以使得可布植常用单原子掺杂剂离子物质及丛集离子,该束流线组态具有一质量分析器磁体,其界定一在该磁体之铁磁性极之间的具有相当大宽度之极间隙及一质量选择孔隙,该分析器磁体经设定大小以接受一来自一高度至少约80 mm且宽度至少约7 mm之槽形离子源提取孔隙之离子束,且在该质量选择孔隙处在一对应于该束之该宽度之平面中产生分散,该质量选择孔隙能够设定为一质量选择宽度,该宽度经设定大小以选择为相同掺杂剂物质但具有增量变化的分子量的丛集离子束,该质量选择孔隙亦能够设定为一实质上更窄之质量选择宽度,且该分析器磁体在该质量选择孔隙处具有一足以允许选择具有实质上单个原子量或分子量之单原子掺杂剂离子束之解析度。
申请公布号 TW200816255 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096121453 申请日期 2007.06.13
申请人 山米奎普公司 发明人 希尔顿F 葛拉维奇;汤马士N 郝斯基;达尔C 杰可柏森
分类号 H01J33/02(2006.01) 主分类号 H01J33/02(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国