| 主权项 |
1.一种光阻用剥离液,其特征系含有(a)氢氟酸及不 含金属离子之硷的盐0.1~10质量%,(b)水溶性有机溶 剂30~80质量%,(c)键结至巯基之碳原子的位,位 之至少一者上具有羟基及/或羧基之构造的化合物 之含有巯基之防蚀剂0.1~10质量%,及(d)水为剩余部 份而成。 2.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(a)成 分为氟化铵。 3.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(b)成 分系至少1种选自二甲基甲醯胺,N-甲基-2-咯烷酮 及二甲基亚。 4.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,其中(c)成 分系由1-硫代丙三醇,3-(2-胺基苯基硫代)2-羟丙基 硫醇,3-(2-羟乙基硫代)-2-羟丙基硫醇,2-巯基丙酸, 及3-巯基丙酸之中选出的至少一种。 5.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液,系(a)~(d) 成分(惟(a)成分为氟化铵),加上再含有(e)氢氟酸及 下述一般式(I) [式中,R1, R2, R3, R4系表示各自独立的碳原子数1-4之 烷基或羟基烷基]表示的氢氧化第四级铵及/或烷 醇胺之盐。 6.如申请专利范围第5项之光阻用剥离液,其中(a)成 分及(e)成分之配合比率为(a)成分:(e)成分=2:8-8:2(质 量比)。 7.一种光阻之剥离方法,其特征为于基板上形成光 阻图案,以该光阻图案为光罩并蚀刻基板后,采用 申请专利范围第1至6项中任1项之光阻用剥离液并 由基板剥离光阻图案。 8.一种光阻之剥离方法,其特征为于基板上形成光 阻图案,以该光阻图案为光罩并蚀刻基板后,其次 电浆灰化光阻图案后,采用申请专利范围第1至6项 中任一项之光阻用剥离液并由基板剥离电浆灰化 后的残渣物。 9.如申请专利范围第7或8项之光阻之剥离方法,其 中系于基板上至少具有Al布线,Cu布线之至少一种 金属布线。 10.如申请专利范围第7或8项之光阻之剥离方法,其 中于基板上至少具有Si系层间膜。 |
