发明名称 用于有机光感装置较大异质接合介面面积之控制成长
摘要 本发明揭示一种光电子装置与一种制造光感光电子装置的方法,其包括:于一第一电极上沉积一第一有机半导体材料以形成一具有突出部分的连续第一层,背对该第一电极之第一层之一侧具有比一下方横断面面积大至少三倍的一表面面积;直接于该第一层上沉积一第二有机半导体材料以形成一不连续第二层,该第一层之部分保持曝露;直接于该第二层上沉积一第三有机半导体材料以形成一不连续第三层,至少该第二层之部分保持曝露;于该第三层上沉积一第四有机半导体材料以形成一连续第四层,填充该等第一、第二、与第三层中之任何曝露间隙与凹陷;以及于该第四层上沉积一第二电极,其中该第一电极与该第二电极中的至少一者系透明的,且该等第一与第三有机半导体材料相对于第二与第四有机半导体材料均为一施体类型或一受体类型,该等第二与第四有机半导体材料系另一材料类型。
申请公布号 TW200816535 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096125088 申请日期 2007.07.10
申请人 普林斯顿大学信托会;密西根州立大学 发明人 杨帆;史帝芬R 福瑞斯特
分类号 H01L51/48(2006.01);H01L51/42(2006.01) 主分类号 H01L51/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国