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经营范围
发明名称
多晶矽硬罩幕
摘要
一种利用多晶矽罩幕,而非知技术所使用之金属硬罩幕,在一低介电系数介电层上形成一孔洞之方法。一多晶矽硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上,以及一光阻层被形成于此多晶矽硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶矽硬罩幕以制造低介电系数介电层之暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除,以免破坏低介电系数介电层。
申请公布号
TW200816311
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096113233
申请日期
2007.04.14
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明
分类号
H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/311(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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