发明名称 相位改变记忆体装置以及相关的程式化方法
摘要 在相位改变记忆体装置中实施程式作业之各种方法中,重复地程式化所选记忆体单元以获得具有所要特征之电阻分布,例如,充足之感测裕度。
申请公布号 TW200816196 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096117083 申请日期 2007.05.14
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 鲁有桓;李光振;姜尚范;赵佑茔
分类号 G11C11/00(2006.01) 主分类号 G11C11/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国