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发明名称
于矽表面形成金属矽化层之方法及其应用
摘要
一种于矽表面形成一金属矽化层之方法,其中,系先于该矽表面上植入惰性气体离子,接着形成一金属层,再将该金属层转变为该金属矽化层。藉此,可于不影响导电成分之掺杂浓度下,降低金属矽化层之电阻值并提升其均匀度,以提升元件效能。
申请公布号
TW200816312
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW095135976
申请日期
2006.09.28
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
李锦文
分类号
H01L21/316(2006.01)
主分类号
H01L21/316(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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