发明名称 于矽表面形成金属矽化层之方法及其应用
摘要 一种于矽表面形成一金属矽化层之方法,其中,系先于该矽表面上植入惰性气体离子,接着形成一金属层,再将该金属层转变为该金属矽化层。藉此,可于不影响导电成分之掺杂浓度下,降低金属矽化层之电阻值并提升其均匀度,以提升元件效能。
申请公布号 TW200816312 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW095135976 申请日期 2006.09.28
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 李锦文
分类号 H01L21/316(2006.01) 主分类号 H01L21/316(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼