一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法

摘要

本发明公开了一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法，本发明的电路结构包括：一电感以表示高频电感外电感值，二电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容，二并联结构以模拟有损耗的衬底，一电阻以表示接触孔的接触电阻，一电容以表示两端口之间两层金属的电容耦合，一梯型结构子电路以模拟趋肤效应。本发明梯型结构子电路中约束关系为上述公式(1)，其中，L_int为内电感，R_DC为直流电阻，R_i为第i层电阻L_i为第i层电感，i＝1－4，并且有上述公式(2)的关系；且在低频时，梯型结构子电路总相位等于内电感与直流电阻的组合相位。本发明十分适合电路设计的使用，可较易的建立电感模型。

主权项

1.一种用于片上电感的高频等效电路结构，其特征在于，包括：一电感(Lo)，以表示高频电感的外电感值；二电容(Cox1、Cox2)，以表示顶层金属到衬底的氧化层电容；二并联结构，以用来模拟有损耗的衬底，一电阻(R11)，以表示接触孔的接触电阻，一电容(Cs)，以表示两端口之间两层金属的电容耦合；一梯型结构子电路，以用来模拟趋肤效应；其中所述电感(Lo)与所述电阻(R11)、梯型结构子电路顺序串联后与所述电容(Cs)耦接；所述电容(Cox1)与所述二并联结构、电容(Cox2)顺序串联后与所述电容(Cs)耦接。