| 发明名称 | 一种定点沉积介质颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。与现有技术相比，本发明可以将介质颗粒沉积在半导体器件的指定区域，在实验观察中很容易定位，而且在指定区域沉积，更有利于在清洗过程中观察颗粒在半导体器件表面不同区域的运动轨迹，节约了实验成本，提高了实验观察的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101150041A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710048118.1 | 申请日期 | 2007.11.13 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孙震海;韩瑞津;郭国超 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其特征在于：介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||