硅微谐振式压力传感器及其制作方法

摘要

本发明提出一种新的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。为克服现有技术中存在的易在硅岛根部引起应力集中，谐振结构形状尺寸受限的不足，本发明采用四个对称布置在正方形压力敏感膜片对角线上的正方形硅岛，谐振结构通过该正方形硅岛悬置于正方形压力敏感膜片表面。该谐振结构由四根支撑梁、四个振动叶片及一个中心连接端构成。四根支撑梁和四个振动叶片间隔对称分布于中心连接端的四周，而四根支撑梁的另一端分别置于四个正方形硅岛的上表面，四个振动叶片处于悬置状态。本发明避免了压力敏感膜片变形过程中硅岛根部的应力集中，减小了对谐振结构的形状尺寸限制，增大了谐振结构面积，提高了检测信号幅值，降低了后期检测的难度。

主权项

1.一种硅微谐振式压力传感器，其特征在于：边框(4)内部设计有正方形压力敏感膜片(3)，在正方形压力敏感膜片(3)的对角线上对称布置有四个正方形硅岛(2)，四个正方形硅岛(2)通过分别与之相连的四根支撑梁(5)将谐振结构(1)悬置于压力敏感膜片(3)表面；谐振结构(1)是由四根支撑梁(5)、四个振动叶片(6)及一个中心连接端(7)构成，四根支撑梁(5)和四个振动叶片(6)间隔对称分布于中心连接端(7)的四周，四个振动叶片(6)处于悬置状态。