一种薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管，其设置于一基板上，此薄膜晶体管至少包含栅极、栅极介电层、半导体层、源极、漏极、钝化层以及保护层。其中栅极设置于基板上，栅极介电层则覆盖栅极与基板。而半导体层则位于栅极上方的栅极介电层之上，且半导体层具有一通道区位于栅极上方，以及位于通道区两侧的源极与漏极区。而源极与漏极设置于通道区的两侧上方，源极与漏极包括阻障层与导电层，其中阻障层位于半导体层的源极与漏极区上，而导电层则位于阻障层之上。钝化层位于源极与漏极的表面上，保护层位于基板、钝化层及半导体层的通道区之上。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法至少包含：形成一栅极于一基板上；形成一栅极介电层，以覆盖所述的栅极与所述的基板；形成一图案化半导体层，至少覆盖所述的栅极上方的栅极介电层，该图案化半导体层具有一通道区位于所述的栅极上方，以及位于所述的通道区两侧的源极与漏极区；形成源极与漏极，于所述的图案化半导体层的源极与漏极区上；以含氮等离子体处理所述的源极与漏极，以于该源/漏极表面形成一钝化层；形成一保护层，以覆盖所述的钝化层以及部份所述的图案化半导体层。