| 主权项 |
1.一种碳氢化合物裂解触媒,其中一金属或一金属 氧化物系从一稀土金属、一稀土金属氧化物、一 硷土金属及一硷土金属氧化物所组成族群中选取 者,其系仅沉积在沸石表面,而不存在于沸石孔内 。 2.如申请专利范围第1项所述之碳氢化合物裂解触 媒,其中该金属或金属氧化物系沉积在以载体重量 为基础的0.1-20重量百分比的范围内。 3.如申请专利范围第1项所述之碳氢化合物裂解触 媒,其中该沸石系具有MFI、MEL、TPN、MTT或FER晶体结 构。 4.如申请专利范围第1项所述之碳氢化合物裂解触 媒,其中该沸石系具有一SiO2/Al2O3比例为15-200之HZSM- 5。 5.如申请专利范围第1项所述之碳氢化合物裂解触 媒,其中该稀土金属系从镧、铈、镨所组成族群中 选取者,而该硷土金属系从镁、钙、锶及钡所组成 族群中选取者。 6.一种制备碳氢化合物裂解触媒之方法,其系包括 下列步骤: a)将一大于沸石载体孔径之金属烃类错合物或一 有机金属化合物溶解在一有机溶剂中; b)将所得溶液沉积在沸石表面;以及 c).将所得沸石触媒乾燥并锻烧。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该碳氢化 合物系从C4-C10链烷烃、烯烃及芳香烃所组成族群 中选取者。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该金属烃 类错合物或有机金属化合物系一稀土金属或一硷 土金属同碳氢化合物之错合物,其系从2-乙基己酸 镧(III)、2-乙基己酸钙、2-乙基己酸钡、2-乙基己 酸铈、2-乙基己酸钇、环己基丁酸锶及豆蔻酸镁 所组成族群中选取者。 图式简单说明: 第一图系一个示意图,说明根据本发明一实施例, 藉由化学溶液沉积法制备一碳氢化合物裂解触媒 之制程。 第二图系一个示意图,说明根据本发明一比较范例 ,藉由金属负载方法制备一碳氢化合物裂解触媒之 制程。 第三图系一图形,比较了本发明一实施例与各比较 范例之触媒的酸性中心。 |
