| 主权项 |
1.一种基板制程,包括: 提供一基材; 于该基材上形成一聚电解质多层膜;以及 于该聚电解质多层膜上形成一金属层。 2.如申请专利范围第1项所述之基板制程,其中在形 成该金属层之前更包括: 于该聚电解质多层膜上形成多个催化粒子;以及 藉由该些催化粒子以于该聚电解质多层膜上形成 该金属层。 3.如申请专利范围第1项所述之基板制程,其中该金 属层之形成方法为无电电镀制程。 4.如申请专利范围第2项所述之基板制程,其中该聚 电解质多层膜由多层自我排列单分子层所建构,该 些催化粒子与该聚电解质多层膜中之最上层该自 我排列单分子层化学键结。 5.如申请专利范围第2项所述之基板制程,其中该些 催化粒子之材质为钯或钯错合物。 6.一种基板结构,包括: 一基材; 一聚电解质多层膜,位于该基材上;以及 一金属层,位于该聚电解质多层膜上。 7.如申请专利范围第6项所述之基板结构,其中该金 属层之材质为铜。 8.如申请专利范围第6项所述之基板结构,其中该基 材为介电材质。 9.如申请专利范围第6项所述之基板结构,其中该金 属层之厚度小于12微米。 10.如申请专利范围第6项所述之基板制程,其中该 聚电解质多层膜由多层自我排列单分子层所建构 。 图式简单说明: 图1A至图1C绘示为习知之一种无使用接着剂之薄铜 基板的制作流程图。 图2A至图2D绘示为本发明较佳实施例之一种基板制 程。 |
