| 发明名称 | SiGe结构的形成和处理 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成结构(30)的方法，所述结构(30)提供有从施主晶片(10)去除的层(2)，所述施主晶片(10)在去除之前包括第一Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层(1)和在第一层(1)上的第二Si<SUB>1－y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>层(2)(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)。所述方法包括：a)注入原子种类，以使得在第二层(2)下形成脆化区(4)，b)将施主晶片(10)键合到接受晶片(20)，c)加热从而在脆化区(4)从施主晶片(10)分离去除层(1’，2)，d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火(也称为RTA)等于或少于5分钟的时间，以及e)相对于第二层(2)选择性蚀刻第一层的剩余部分(1’)。 | ||
| 申请公布号 | CN101142669A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200680008159.1 | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | N·达瓦尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1.一种形成包括从施主晶片得到的半导体材料的去除层的结构的方法，施主晶片在去除之前包括由Si1-xGex形成的第一层和在第一层上的由Si1-yGey形成的第二层(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)，所述方法包括下面的连续步骤：a)注入原子种类，以在第二层下形成弱区；b)将施主晶片键合到接受晶片；c)提供能量，从而在弱区从施主晶片分离去除层；d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火不超过5分钟的时间；e)相对于第二层选择性蚀刻第一层的剩余部分。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||