| 发明名称 | 内存结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种内存结构包含半导体基板、设置于该半导体基板中的主动区、多个设置于该半导体基板中的掺杂区、电连接位线及该多个掺杂区之一的第一导电插塞以及电连接电容器及另一掺杂区的第二导电插塞。该第一导电插塞包含设置于该主动区域内的第一区块及设置于该主动区域的第一侧边的第二区块，且该位线连接该第一导电插塞的第二区块。该第二导电插塞包含设置于该主动区域内的第三区块及设置于该主动区域的第二侧边的第四区块，且该电容器连接于该第二导电插塞的第四区块。 | ||
| 申请公布号 | CN101140934A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610127787.3 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 简荣吾;萧家顺 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛平 |
| 主权项 | 1.一种内存结构，其特征是包含：基板；主动区域，设置于该基板之中；第一导电插塞，包含设置于该主动区域内的第一区块及设置于该主动区域的第一侧边的第二区块；以及第二导电插塞，包含设置于该主动区域内的第三区块及设置于该主动区域的第二侧边的第四区块。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区力行路十九号三楼 | ||