| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括一电容器及一相邻的高电压栅极，其具有一硼阻障层，此硼阻障层可作为电容器介电层及高电压栅极氧化层。硼阻障层较佳形成于一多晶硅氧化层之上，多晶硅氧化层依序沉积于基板上，而基板可掺杂杂质以形成相邻的阱区，电容器形成于n型阱之上，且HV栅极形成于p型阱上。此硼阻障层可降低或消除在沉积栅极氧化材料时由p型阱扩散出来的硼及其所造成的不良影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101140930A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710141046.5 | 申请日期 | 2007.08.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄麒铨;林世安;徐振富 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包括：一电容器；包括：一第一导电层；一第二导电层，设置于该第一导电层上方；以及一硼阻障层，设置于该第一及第二导电层之间作为一介电层，以及一高电压栅极，邻近该电容器；包括：一硼阻障层；以及一导电层，设置于该硼阻障层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||