| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明是即使在n沟道MISFET的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的n沟道MISFET的沟道长度方向平行于半导体基板的结晶方向<100>设置。由于镍或镍合金的硅化物区域难以在结晶方向<100>的方向上延伸，所以即使在n沟道MISFET的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以获得截止漏电流难以增加的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101140954A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710167664.7 | 申请日期 | 2007.07.03 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 山口直;柏原庆一朗;奥平智仁;堤聪明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有面方向为(100)面的主表面的半导体基板；和在所述主表面上形成的n沟道MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)；所述n沟道MISFET包含在所述主表面内形成的源极和漏极、以及在所述源极和漏极的至少一个的表面上形成的含有镍或镍合金的硅化物区域，所述n沟道MISFET的沟道长度方向设置成平行于所述半导体基板的结晶方向<100>。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||