| 发明名称 | 射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法及其电路 | ||
| 摘要 | 射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法及其电路，射频发射电路中，设置输入传输线变压器(T1)，其次级端为高阻，输出端与MOSFET管的输入高阻抗相匹配，设有电感L1、电阻R3和电感L2、电阻R4构成负反馈单元，MOSFET管的输出至第二传输线变压器T2，D1、D2开关二极管可以有效防止各种杂乱无章电压对栅极的侵入，使MOSFET管工作时得到有效保护，目的在于有效保护栅极不被外来电压摧毁。 | ||
| 申请公布号 | CN101141115A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200710130909.9 | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 熊猫电子集团有限公司;南京熊猫电子股份有限公司;南京熊猫汉达科技有限公司 | 发明人 | 朱自付 |
| 分类号 | H03F1/52(2006.01);H03F3/21(2006.01) | 主分类号 | H03F1/52(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1.一种射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法，其特征是射频发射电路中，设置输入传输线变压器(T1)，其次级端为高阻，输出端与MOSFET管的输入高阻抗相匹配，设有电感(L1)、电阻(R3)和电感(L2)、电阻(R4)构成负反馈单元，MOSFET管的输出接输出传输线变压器(T2)，尤其是在传输线变压器(T2)的输出端串联开关二极管(D1、D2)。 | ||
| 地址 | 210002江苏省南京市中山东路301号 | ||