| 发明名称 | 气体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用填充剂处理气体的装置，例如用于使用无害化剂对含有有害物质的废气进行无害化的气体处理装置，该有害物质例如是用于半导体制造工艺、液晶显示元件制造工艺等的硅烷、磷化氢、氯化氢、二氯硅烷和氨气等各种半导体材料气体。气体处理筒1内的流路6中设有无害化剂层3，圆环状的挡板7被设为分别与该无害化剂层3的上游侧的面及下游侧的面相接，并且其外缘部与流路6的壁面相接。当填充剂外径di和气体处理筒1内径D之间的关系为5di≤0.09D时，挡板7的宽度优选为大于或等于填充剂外径的5倍、且小于或等于气体处理筒1内径的9％；当5di＞0.09D时，挡板7的宽度优选为气体处理筒1内径的2％～9％。 | ||
| 申请公布号 | CN101142010A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200680008748.X | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 大阳日酸株式会社 | 发明人 | 相泽幸宏;长坂徹 |
| 分类号 | B01D53/82(2006.01) | 主分类号 | B01D53/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陆弋;宋志强 |
| 主权项 | 1.一种气体处理装置，其气体处理筒内设有层积填充剂的填充剂层，并使气体通过该填充剂层，其特征在于，在该填充剂层的上游侧的面或下游侧的面中的至少一面设有圆环状挡板。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||